Image is for reference only , details as Specifications

EPC2106

Производителей: EPC
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: EPC2106
Описание: GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя EPC
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии eGaN®
Тип FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET GaNFET (Gallium Nitride)
Статус части Active
Мощность - Макс -
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело Die
Vgs (th) (Max) 2.5V @ 600µA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 5V
Пакет устройств поставщика Die
Заряд ворот (Кг) (Макс) 0.73nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 75pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 1.7A

На складе 10620 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPG20N10S4L22AATMA1
Infineon Technologies
$0
IPG20N06S415AATMA1
Infineon Technologies
$0
SI7949DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
FDS3890
ON Semiconductor
$1.66