Image is for reference only , details as Specifications

EPC2107

Производителей: EPC
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: EPC2107
Описание: GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя EPC
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии eGaN®
Тип FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET GaNFET (Gallium Nitride)
Статус части Discontinued at Digi-Key
Мощность - Макс -
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 9-VFBGA
Vgs (th) (Max) 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Пакет устройств поставщика 9-BGA (1.35x1.35)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 1.7A, 500mA

На складе 80 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DMG4822SSDQ-13
Diodes Incorporated
$0.33
DMT3009LDT-7
Diodes Incorporated
$0
FC8J33040L
Panasonic Electronic Components
$0.88
SQJ956EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
AONY36354
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0.93