Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

EPC2202

Производителей:	EPC
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	EPC2202
Описание:	GANFET N-CH 80V 18A DIE
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	EPC
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	Automotive, AEC-Q101, eGaN®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	+5.75V, -4V
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	Die
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 3mA
Операционная температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	17mOhm @ 11A, 5V
Рассеивание мощности (Макс)	-
Пакет устройств поставщика	Die Outline (6-Solder Bar)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	4nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	80V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	415pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	18A
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	5V