Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IXTP1R6N100D2

Производителей: IXYS
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IXTP1R6N100D2
Описание: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя IXYS
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии -
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET Depletion Mode
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Vgs (th) (Max) -
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 10Ohm @ 800mA, 0V
Рассеивание мощности (Макс) 100W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-220AB
Заряд ворот (Кг) (Макс) 27nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 1000V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 645pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 1.6A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 51 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.85 $1.81 $1.78
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IXTU01N100
IXYS
$1.85
IRF2804STRRPBF
Infineon Technologies
$1.85
RCX330N25
ROHM Semiconductor
$1.84
IPP65R190CFDXKSA2
Infineon Technologies
$1.84
IPI65R190CFDXKSA2
Infineon Technologies
$1.84