Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IXTP8N65X2M

Производителей: IXYS
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IXTP8N65X2M
Описание: MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя IXYS
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии -
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Vgs (th) (Max) 5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 550mOhm @ 4A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 32W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-220
Заряд ворот (Кг) (Макс) 12nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 800pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 4A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 71 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.85 $1.81 $1.78
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

TK13E25D,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.85
IXTP1R6N100D2
IXYS
$1.85
IXTU01N100
IXYS
$1.85
IRF2804STRRPBF
Infineon Technologies
$1.85
RCX330N25
ROHM Semiconductor
$1.84