Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IXTY1R4N100P

Производителей:	IXYS
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IXTY1R4N100P
Описание:	MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	IXYS
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	Polar™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max)	4.5V @ 50µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	11Ohm @ 500mA, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	63W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-252, (D-Pak)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	17.8nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	1000V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	450pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	1.4A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V