Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSM35GD120DN2

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: BSM35GD120DN2
Описание: IGBT BSM35GD120DN2BOSA1
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT NPT
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 280W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 3.2V @ 15V, 35A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 50A
Вхотогие емки (Cies) 2nF @ 25V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 78 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FP100R06KE3_B16
Infineon Technologies
$0
FS100R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
$0
IFS100B12N3E4_B39
Infineon Technologies
$0
FT150R12KE3G_B4
Infineon Technologies
$0
DF400R07PE4R_B6
Infineon Technologies
$0