Image is for reference only , details as Specifications

IFS100B12N3E4_B39

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: IFS100B12N3E4_B39
Описание: IGBT IFS100B12N3E4B39BOSA1
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 515W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура 175°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.1V @ 15V, 100A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100A
Вхотогие емки (Cies) 6.3nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 97 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FT150R12KE3G_B4
Infineon Technologies
$0
DF400R07PE4R_B6
Infineon Technologies
$0
DDB6U180N16RR
Infineon Technologies
$0
BSM50GD120DN2G
Infineon Technologies
$0
BSM75GB170DN2HOSA1
Infineon Technologies
$0