Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSM50GD120DN2G

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: BSM50GD120DN2G
Описание: IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 400W
Конфигурации Full Bridge
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 3.7V @ 15V, 50A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 78A
Вхотогие емки (Cies) 33nF @ 25V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 52 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSM75GB170DN2HOSA1
Infineon Technologies
$0
BSM50GB170DN2HOSA1
Infineon Technologies
$0
FP30R06YE3BOMA1
Infineon Technologies
$0
FA300R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
$0
VS-GA100TS60SF
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$0