Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов
BSO615NGHUMA1
| Производителей: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | BSO615NGHUMA1 |
| Описание: | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Infineon Technologies |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | SIPMOS® |
| Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Упаковки | Digi-Reel® |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Статус части | Active |
| Мощность - Макс | 2W |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Номер базовой части | BSO615 |
| Vgs (th) (Max) | 2V @ 20µA |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 150mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Пакет устройств поставщика | PG-DSO-8 |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 20nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 60V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 380pF @ 25V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 2.6A |
На складе 277 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
