Image is for reference only , details as Specifications

BSZ900N15NS3GATMA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	BSZ900N15NS3GATMA1
Описание:	MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	OptiMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max)	4V @ 20µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	90mOhm @ 10A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	38W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8
Заряд ворот (Кг) (Макс)	7nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	150V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	510pF @ 75V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	13A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	8V, 10V