Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DF150R12RT4HOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: DF150R12RT4HOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 790W
Конфигурации Single Chopper
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.15V @ 15V, 150A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 150A
Вхотогие емки (Cies) 9.3nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 89 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$51.08 $50.06 $49.06
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

MII75-12A3
IXYS
$51.06
DF200R12W1H3B27BOMA1
Infineon Technologies
$50.67
MWI45-12T6K
IXYS
$49.52
VS-100MT060WSP
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$49.41
F475R07W1H3B11ABOMA1
Infineon Technologies
$49.15