Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FD900R12IP4DBOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FD900R12IP4DBOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 1200V 900A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 5100W
Конфигурации Single Chopper
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.05V @ 15V, 900A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 900A
Вхотогие емки (Cies) 54nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 52 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$454.83 $445.73 $436.82
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

VS-GB400AH120N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$452.02
FS225R17KE4BOSA1
Infineon Technologies
$449.19
VS-GT400TH60N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$448.52
DF600R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
$443.45
FF600R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
$435.96