Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FF150R12ME3GBOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FF150R12ME3GBOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Not For New Designs
Мощность - Макс 695W
Конфигурации Single Chopper
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 125°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.15V @ 15V, 150A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 200A
Вхотогие емки (Cies) 10.5nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 53 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$92.40 $90.55 $88.74
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FD200R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
$92.29
DF200R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
$92.29
BSM100GB120DLCKHOSA1
Infineon Technologies
$90.99
FD300R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
$90.67
MWI50-12T7T
IXYS
$90.5