Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FF150R17ME3GBOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FF150R17ME3GBOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Not For New Designs
Мощность - Макс 1050W
Конфигурации 2 Independent
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 125°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.45V @ 15V, 150A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 240A
Вхотогие емки (Cies) 13.5nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 3mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1700V

На складе 62 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$109.30 $107.11 $104.97
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FS75R12KE3B9BOSA1
Infineon Technologies
$109.27
MWI75-12T7T
IXYS
$108.58
GSID150A120S6A4
Global Power Technologies Group
$108.51
FF225R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
$107.51
FP50R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
$107.14