Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FF450R12ME4BOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FF450R12ME4BOSA1
Описание: IGBT MODULE 1200V 450A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 2250W
Конфигурации Half Bridge
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.1V @ 15V, 450A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 675A
Вхотогие емки (Cies) 28nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 3mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 8 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$169.17 $165.79 $162.47
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DDB6U84N16RRBOSA1
Infineon Technologies
$75.15
FF50R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
$45.9
VS-CPV364M4KPBF
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$45.15
GB100XCP12-227
GeneSiC Semiconductor
$223.62
MG12450WB-BN2MM
Littelfuse Inc.
$201.35