Image is for reference only , details as Specifications
FF6MR12W2M1B11BOMA1
| Производителей: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
| Описание: | MOSFET MODULE 1200V 200A |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Infineon Technologies |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | CoolSiC™+ |
| Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Функция FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Статус части | Active |
| Мощность - Макс | 20mW (Tc) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Пакет / Дело | Module |
| Vgs (th) (Max) | 5.55V @ 10mA |
| Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 5.63mOhm @ 200A, 15V |
| Пакет устройств поставщика | AG-EASY2BM-2 |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 496nC @ 15V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 1200V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 14700pF @ 800V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 200A (Tj) |
На складе 15 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $304.56 | $298.47 | $292.50 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
