Image is for reference only , details as Specifications

FP150R07N3E4BOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FP150R07N3E4BOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 650V 150A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Мощность - Макс 430W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 1.95V @ 15V, 150A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 150A
Вхотогие емки (Cies) 9.3nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 650V

На складе 93 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$138.74 $135.97 $133.25
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FZ600R12KS4HOSA1
Infineon Technologies
$138.41
FS150R07PE4BOSA1
Infineon Technologies
$138.12
FF225R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
$137.75
FZ400R12KS4PHOSA1
Infineon Technologies
$137.46
GSID100A120T2P2
Global Power Technologies Group
$137.13