Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FP75R07N2E4BOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FP75R07N2E4BOSA1
Описание: IGBT MODULE VCES 600V 75A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Active
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 1.95V @ 15V, 75A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 95A
Вхотогие емки (Cies) 4.6nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 650V

На складе 51 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$83.24 $81.58 $79.94
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSM75GB120DN2HOSA1
Infineon Technologies
$83.01
MWI75-06A7T
IXYS
$82.32
MIXA80WB1200TEH
IXYS
$89.28
VS-40MT120UHTAPBF
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$89.03
FP15R12KS4CBOSA1
Infineon Technologies
$88.61