Image is for reference only , details as Specifications

FZ1200R12HP4HOSA2

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: FZ1200R12HP4HOSA2
Описание: MODULE IGBT IHMB130-2
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench
Статус части Active
Мощность - Макс 7150W
Конфигурации Single Switch
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.05V @ 15V, 1200A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 1790A
Вхотогие емки (Cies) 74nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 75 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$589.38 $577.59 $566.04
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FZ1200R12HE4HOSA2
Infineon Technologies
$589.38
FF650R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
$580.03
VS-GB300TH120U
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$574.84
VS-GB300TH120N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$574.84
FF900R12IE4VPBOSA1
Infineon Technologies
$572.64