IMZ120R090M1HXKSA1
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | IMZ120R090M1HXKSA1 |
Описание: | COOLSIC MOSFETS 1200V |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | CoolSiC™ |
Тип FET | N-Channel |
Vgs (Макс) | +23V, -7V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет / Дело | TO-247-4 |
Vgs (th) (Max) | 5.7V @ 3.7mA |
Операционная температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 117mOhm @ 8.5A, 18V |
Рассеивание мощности (Макс) | 115W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | PG-TO247-4-1 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 21nC @ 18V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 1.2kV |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 707pF @ 800V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 26A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 15V, 18V |
На складе 99 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$15.80 | $15.48 | $15.17 |
Минимальный: 1