Image is for reference only , details as Specifications

IPB036N12N3GATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB036N12N3GATMA1
Описание: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Vgs (th) (Max) 4V @ 270µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 3.6mOhm @ 100A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 300W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO263-7
Заряд ворот (Кг) (Макс) 211nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 120V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 13800pF @ 60V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 180A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 88 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FDMT800100DC
ON Semiconductor
$0
STH315N10F7-6
STMicroelectronics
$0
IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
$0
FDMT80040DC
ON Semiconductor
$0