Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPB072N15N3GATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB072N15N3GATMA1
Описание: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 4V @ 270µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 7.2mOhm @ 100A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 300W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO263-3-2
Заряд ворот (Кг) (Макс) 93nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 150V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 5470pF @ 75V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 100A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 8V, 10V

На складе 33302 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPP120P04P4L03AKSA1
Infineon Technologies
$2.87
IRFB4227PBF
Infineon Technologies
$2.86
IRFS3006TRL7PP
Infineon Technologies
$0
SPP11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
$2.85
FDP51N25
ON Semiconductor
$2.85