Image is for reference only , details as Specifications

IPB50N10S3L16ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB50N10S3L16ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 2.4V @ 60µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 15.4mOhm @ 50A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 100W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO263-3-2
Заряд ворот (Кг) (Макс) 64nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 4180pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 50A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 980 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NTBV5605T4G
ON Semiconductor
$0
IRFS7787TRLPBF
Infineon Technologies
$0
IRFH5250DTRPBF
Infineon Technologies
$0
IRFH8303TRPBF
Infineon Technologies
$0
BSC900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
$0.7