Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPB60R190C6ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB60R190C6ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Not For New Designs
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 630µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 151W (Tc)
Пакет устройств поставщика D²PAK (TO-263AB)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 63nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1400pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 20.2A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 1948 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSB056N10NN3GXUMA1
Infineon Technologies
$0
FQPF15P12
ON Semiconductor
$1.47
VP0808L-G
Lanka Micro
$1.47
IRF644PBF
Vishay / Siliconix
$1.45
STB6NK90ZT4
STMicroelectronics
$0