Image is for reference only , details as Specifications

IPB60R299CPATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPB60R299CPATMA1
Описание: MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Cut Tape (CT)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 440µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 96W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO263-3-2
Заряд ворот (Кг) (Макс) 29nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1100pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 11A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 79 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPB260N06N3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB65R420CFDATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB65R380C6ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD530N15N3GBTMA1
Infineon Technologies
$0
IPD250N06N3GBTMA1
Infineon Technologies
$0