Image is for reference only , details as Specifications

IPD250N06N3GBTMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD250N06N3GBTMA1
Описание: MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 4V @ 11µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 25mOhm @ 28A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 36W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 15nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1200pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 28A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 76 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSB012N03LX3 G
Infineon Technologies
$0
SPD50N03S207GBTMA1
Infineon Technologies
$0
BSP324L6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
BSP320SL6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
SIA850DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0