Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPD90R1K2C3ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD90R1K2C3ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 310µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 83W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 28nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 900V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 710pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 5.1A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 10198 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSC010NE2LSATMA1
Infineon Technologies
$0
FDMC86102L
ON Semiconductor
$0
FDMC86102LZ
ON Semiconductor
$0
BUK9612-55B,118
Nexperia USA Inc.
$0
FDMS7660AS
ON Semiconductor
$0