Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPG20N04S412AATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: IPG20N04S412AATMA1
Описание: MOSFET 2N-CH 8TDSON
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Tape & Reel (TR)
Функция FET Standard
Статус части Active
Мощность - Макс 41W
Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
Пакет / Дело 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) 4V @ 15µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 12.2mOhm @ 17A, 10V
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-10
Заряд ворот (Кг) (Макс) 18nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 40V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1470pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 20A

На складе 75 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.47 $0.46 $0.45
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPG20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
$0.47
BSZ215CHXTMA1
Infineon Technologies
$0.47
NTLGD3502NT2G
ON Semiconductor
$0.46
SH8K2TB1
ROHM Semiconductor
$0
ZXMP6A16DN8TA
Diodes Incorporated
$0