Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRF640NLPBF

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IRF640NLPBF
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии HEXFET®
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) 4V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 150mOhm @ 11A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 150W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-262
Заряд ворот (Кг) (Макс) 67nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1160pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 18A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 2809 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.68 $1.65 $1.61
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FDPF10N60NZ
ON Semiconductor
$1.66
CSD19503KCS
NA
$1.65
IPB035N08N3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB80N08S2L07ATMA1
Infineon Technologies
$0
FQPF4N90C
ON Semiconductor
$1.63