Image is for reference only , details as Specifications

IRF6603

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRF6603
Описание:	MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HEXFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	+20V, -12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	DirectFET™ Isometric MT
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 250µA
Операционная температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	3.4mOhm @ 25A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	3.6W (Ta), 42W (Tc)
Пакет устройств поставщика	DIRECTFET™ MT
Заряд ворот (Кг) (Макс)	72nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	6590pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	27A (Ta), 92A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V