Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRF9910PBF

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: IRF9910PBF
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии HEXFET®
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Tube
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Discontinued at Digi-Key
Мощность - Макс 2W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер базовой части IRF9910PBF
Vgs (th) (Max) 2.55V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V
Пакет устройств поставщика 8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс) 11nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 900pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 10A, 12A

На складе 93 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IRF8910PBF
Infineon Technologies
$0
FDS6982
ON Semiconductor
$0
PMWD30UN,518
NXP USA Inc.
$0
PMWD19UN,518
NXP USA Inc.
$0
FDG6302P
ON Semiconductor
$0