Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRFB38N20DPBF

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRFB38N20DPBF
Описание:	MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HEXFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-220-3
Vgs (th) (Max)	5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	54mOhm @ 26A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	3.8W (Ta), 300W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-220AB
Заряд ворот (Кг) (Макс)	91nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2900pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	43A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V