Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRFH8334TR2PBF

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IRFH8334TR2PBF
Описание:	MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HEXFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max)	2.35V @ 25µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	9mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	3.2W (Ta), 30W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PQFN (5x6)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	15nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1180pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	14A (Ta), 44A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V