Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRFHE4250DTRPBF

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: IRFHE4250DTRPBF
Описание: MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии FASTIRFET™
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Cut Tape (CT)
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 156W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 32-PowerWFQFN
Номер базовой части IRFHE4250
Vgs (th) (Max) 2.1V @ 35µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 2.75mOhm @ 27A, 10V
Пакет устройств поставщика 32-PQFN (6x6)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 20nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 25V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1735pF @ 13V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 86A, 303A

На складе 66 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

EPC2105ENG
EPC
$0
EPC2104ENG
EPC
$0
DMC1029UFDB-7
Diodes Incorporated
$0
VEC2616-TL-H
ON Semiconductor
$0
NTMFD4C85NT3G
ON Semiconductor
$0