Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

FDMS3660S

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: FDMS3660S
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии PowerTrench®
Тип FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 1W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-PowerTDFN
Номер базовой части FDMS3660S
Vgs (th) (Max) 2.7V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Пакет устройств поставщика Power56
Заряд ворот (Кг) (Макс) 29nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1765pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 13A, 30A

На складе 2779 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SQJ504EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SQJ951EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
BUK9K13-60EX
Nexperia USA Inc.
$0
SI5902BDC-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI4936BDY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0