FDMS3669S
Производителей: | ON Semiconductor |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | FDMS3669S |
Описание: | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | ON Semiconductor |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | PowerTrench® |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Упаковки | Cut Tape (CT) |
Функция FET | Logic Level Gate |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | 1W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-PowerTDFN |
Vgs (th) (Max) | 2.7V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 10mOhm @ 13A, 10V |
Пакет устройств поставщика | Power56 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 24nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 30V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1605pF @ 15V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 13A, 18A |
На складе 72 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.97 | $0.95 | $0.93 |
Минимальный: 1