Image is for reference only , details as Specifications

FDN5618P_G

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: FDN5618P_G
Описание: INTEGRATED CIRCUIT
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии PowerTrench®
Тип FET P-Channel
Упаковки Bulk
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) 3V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 170mOhm @ 1.25A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 500mW (Ta)
Пакет устройств поставщика SuperSOT-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 13.8nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 430pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 1.25A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 74 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FDN338P_G
ON Semiconductor
$0
FDMS0306S
ON Semiconductor
$0
FDMC7692_F126
ON Semiconductor
$0
FDD24AN06LA0_SB82179
ON Semiconductor
$0
FDB3632_SB82115
ON Semiconductor
$0