FDP8D5N10C
Производителей: | ON Semiconductor |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | FDP8D5N10C |
Описание: | FET ENGR DEV-NOT REL |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | ON Semiconductor |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | PowerTrench® |
Тип FET | N-Channel |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет / Дело | TO-220-3 |
Vgs (th) (Max) | 4V @ 130µA |
Операционная температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 8.5mOhm @ 76A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 2.4W (Ta), 107W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | TO-220-3 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 34nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 100V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 2475pF @ 50V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 76A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 77 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$2.48 | $2.43 | $2.38 |
Минимальный: 1