Image is for reference only , details as Specifications

FDP8D5N10C

Производителей: ON Semiconductor
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: FDP8D5N10C
Описание: FET ENGR DEV-NOT REL
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ON Semiconductor
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии PowerTrench®
Тип FET N-Channel
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Vgs (th) (Max) 4V @ 130µA
Операционная температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 8.5mOhm @ 76A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 2.4W (Ta), 107W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-220-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 34nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2475pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 76A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 77 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.48 $2.43 $2.38
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

TK12E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage
$2.48
IXTA48P05T
IXYS
$2.48
IXTA26P10T
IXYS
$2.48
IXTA15P15T
IXYS
$2.48
IXFA110N15T2-TRL
IXYS
$2.48