Image is for reference only , details as Specifications
HGTP10N120BN
| Производителей: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - IGBTs - Single |
| Лист данных: | HGTP10N120BN |
| Описание: | IGBT 1200V 35A 298W TO220AB |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | ON Semiconductor |
| Категория продукции | Transistors - IGBTs - Single |
| Серии | - |
| Тип IGBT | NPT |
| Упаковки | Tube |
| Тип ввода | Standard |
| Плата за ворота | 100nC |
| Статус части | Not For New Designs |
| Мощность - Макс | 298W |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет / Дело | TO-220-3 |
| Условие тестирования | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Энергия переключения | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Td (в/выкл) | 23ns/165ns |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Пакет устройств поставщика | TO-220-3 |
| Vce (на) (Макс) | 2.7V @ 15V, 10A |
| Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) | 35A |
| Текущий - Коллектор Пульсированный (Icm) | 80A |
| Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) | 1200V |
На складе 63 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.77 | $1.73 | $1.70 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
