Image is for reference only , details as Specifications
NTMD6601NR2G
| Производителей: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | NTMD6601NR2G |
| Описание: | MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | ON Semiconductor |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | - |
| Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Упаковки | Tape & Reel (TR) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Статус части | Obsolete |
| Мощность - Макс | 600mW |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs (th) (Max) | 3V @ 250µA |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 215mOhm @ 2.2A, 10V |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 15nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 80V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 400pF @ 25V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 1.1A |
На складе 92 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
