Image is for reference only , details as Specifications
QJD1210010
| Производителей: | Powerex, Inc. |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | QJD1210010 |
| Описание: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Powerex, Inc. |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | - |
| Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Упаковки | Bulk |
| Функция FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Статус части | Active |
| Мощность - Макс | 1080W |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Пакет / Дело | Module |
| Vgs (th) (Max) | 5V @ 10mA |
| Операционная температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V |
| Пакет устройств поставщика | Module |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 500nC @ 20V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 10200pF @ 800V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 100A (Tc) |
На складе 83 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
