Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSM080D12P2C008

Производителей: ROHM Semiconductor
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: BSM080D12P2C008
Описание: SIC POWER MODULE-1200V-80A
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ROHM Semiconductor
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии -
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Tray
Функция FET Silicon Carbide (SiC)
Статус части Active
Мощность - Макс 600W
Тип монтажа Chassis Mount
Пакет / Дело Module
Vgs (th) (Max) 4V @ 13.2mA
Операционная температура 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs -
Пакет устройств поставщика Module
Заряд ворот (Кг) (Макс) -
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 1200V (1.2kV)
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 800pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 80A (Tc)

На складе 14 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$301.74 $295.71 $289.79
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
$155.83
AUIRF7341QTR
Infineon Technologies
$0
AUIRF7313QTR
Infineon Technologies
$0
IPG20N04S4L07ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPG20N04S408AATMA1
Infineon Technologies
$0