Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RQ3E100BNTB

Производителей: ROHM Semiconductor
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: RQ3E100BNTB
Описание: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя ROHM Semiconductor
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии -
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) 2.5V @ 1mA
Операционная температура 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 10.4mOhm @ 10A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 2W (Ta)
Пакет устройств поставщика 8-HSMT (3.2x3)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 22nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1100pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 10A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 276 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DMN1150UFB-7B
Diodes Incorporated
$0.06
DMP2104V-7
Diodes Incorporated
$0
PMZB350UPE,315
Nexperia USA Inc.
$0.43
BS170-D74Z
ON Semiconductor
$0.43
SI2366DS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0.45