Image is for reference only , details as Specifications

SI2366DS-T1-GE3

Производителей:	Vishay / Siliconix
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	SI2366DS-T1-GE3
Описание:	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Vishay / Siliconix
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchFET®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	36mOhm @ 4.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	10nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	335pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	5.8A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V