Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

2SK2009TE85LF

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	2SK2009TE85LF
Описание:	MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max)	1.5V @ 100µA
Операционная температура	150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	2Ohm @ 50MA, 2.5V
Рассеивание мощности (Макс)	200mW (Ta)
Пакет устройств поставщика	SC-59-3
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	70pF @ 3V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	200mA (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	2.5V