Image is for reference only , details as Specifications

GT60N321(Q)

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Single
Лист данных: GT60N321(Q)
Описание: IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - IGBTs - Single
Серии -
Тип IGBT -
Упаковки Tube
Тип ввода Standard
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 170W
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-3PL
Условие тестирования -
Номер базовой части GT60
Энергия переключения -
Td (в/выкл) 330ns/700ns
Операционная температура 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика TO-3P(LH)
Vce (на) (Макс) 2.8V @ 15V, 60A
Обратное время восстановления (trr) 2.5µs
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 60A
Текущий - Коллектор Пульсированный (Icm) 120A
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1000V

На складе 80 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

GT10J312(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
GT10G131(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
FGA50N100BNTTU
ON Semiconductor
$0
STGW45NC60WD
STMicroelectronics
$0
STGB18N40LZ-1
STMicroelectronics
$0