GT60N321(Q)
Производителей: | Toshiba Semiconductor and Storage |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - IGBTs - Single |
Лист данных: | GT60N321(Q) |
Описание: | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Toshiba Semiconductor and Storage |
Категория продукции | Transistors - IGBTs - Single |
Серии | - |
Тип IGBT | - |
Упаковки | Tube |
Тип ввода | Standard |
Статус части | Obsolete |
Мощность - Макс | 170W |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет / Дело | TO-3PL |
Условие тестирования | - |
Номер базовой части | GT60 |
Энергия переключения | - |
Td (в/выкл) | 330ns/700ns |
Операционная температура | 150°C (TJ) |
Пакет устройств поставщика | TO-3P(LH) |
Vce (на) (Макс) | 2.8V @ 15V, 60A |
Обратное время восстановления (trr) | 2.5µs |
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) | 60A |
Текущий - Коллектор Пульсированный (Icm) | 120A |
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) | 1000V |
На складе 80 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1