Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RN1421TE85LF

Производителей:	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных:	RN1421TE85LF
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Active
Мощность - Макс	200mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased
Номер базовой части	RN142*
Сопротивление - База (R1)	1 kOhms
Частота - Переход	300MHz
Пакет устройств поставщика	S-Mini
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	1 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	250mV @ 2mA, 50mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	800mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	60 @ 100mA, 1V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V