Image is for reference only , details as Specifications

RN2111MFV,L3F

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных: RN2111MFV,L3F
Описание: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии -
Статус части Active
Мощность - Макс 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SOT-723
Тип транзистора PNP - Pre-Biased
Сопротивление - База (R1) 10 kOhms
Пакет устройств поставщика VESM
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 99 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.03 $0.03 $0.03
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

RN2110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.03
RN2108MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.03
RN1114MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.03
FJN4309RTA
ON Semiconductor
$0
DTA144WM3T5G
ON Semiconductor
$0.03