Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RN2413TE85LF

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных: RN2413TE85LF
Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Digi-Reel®
Статус части Discontinued at Digi-Key
Мощность - Макс 200mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип транзистора PNP - Pre-Biased
Сопротивление - База (R1) 47 kOhms
Частота - Переход 200MHz
Пакет устройств поставщика S-Mini
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 60 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DDTD122JC-7-F
Diodes Incorporated
$0.05
DDTD114TC-7-F
Diodes Incorporated
$0.05
DDTD114GC-7-F
Diodes Incorporated
$0.05
DDTD122LC-7-F
Diodes Incorporated
$0.05
BCR583E6327HTSA1
Infineon Technologies
$0